快讯摘要
通用 DRAM 恢复趋势不及 NAND 闪存，三星、SK 海力士通用 DRAM 厂开工率未达“全面启动”水平，NAND 闪存需求恢复，相关工厂已全面启动。
快讯正文
【通用 DRAM 恢复趋势不及 NAND 闪存，三星、SK 海力士相关工厂开工率未达“全面启动”水平】据调查，通用 DRAM 的恢复趋势不如 NAND 闪存。目前，三星电子和 SK 海力士的通用 DRAM 厂开工率为 80%-90%，较年初小幅增加，但仍未达到“全面启动”水平。供应仍比需求占优势，主要原因是智能手机、PC、服务器市场增长势头放缓，未能带动需求。而 NAND 闪存方面，随着 AI 带动 eSSD 等需求恢复，三星、SK 海力士的相关工厂在二季度已转为全面启动机制，铠侠近期开工率也达到了 100%。
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